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IRFR1205TRR	文件：4.02641 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.02641 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR1205TRRPBF	文件：988.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：988.67 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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IRFRU1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A?? Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：144.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU1205	文件：144.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A?? Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：144.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFR1205TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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