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IRFR13N15DTRLP	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：128.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DTRPBF	文件：2.00718 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：2.00718 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR13N15DTRPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：228.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU13N15D	文件：1.59727 Mbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：1.59727 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU13N15D	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：128.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU13N15D	文件：246.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：246.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRFR13N15DTR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N CH 150V 14A DPAK

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更多IRFR13N15DTR供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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