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IIRFR13N20D	文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR13N20	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HIGHFREQUENCYDC-DCCONVERTERS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DTRLP	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DTRPBF	文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR13N20DTRPBF	文件：1.77733 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU13N20D	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.235ohm,Id=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPSMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)max=0.235廓,ID=13A) Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFU13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFR13N20DCTRLP
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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