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IRFR1N60ATR	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60ATRLPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR1N60ATRLPBFA	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60ATRPBFA	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60ATRPBF-BE3AB	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFR1N60ATR
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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