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IRFR13N15D	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：128.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15D	文件：335.93 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High frequency DC-DC converters • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤180mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR13N15D	文件：1.59727 Mbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：1.59727 Mbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR13N15DPBF	文件：3.8327 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：3.8327 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR13N15DPBF	文件：218.94 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：218.94 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DTRLP	文件：128.08 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：128.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：228.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DPBF	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：228.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DPBF_15	文件：228.09 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：228.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR13N15DTRPBF	文件：2.00718 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：2.00718 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
150.0V
RDS (on)(@10V) max：
180.0mΩ
RDS (on) max：
180.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
9.8A
ID max：
9.8A
ID (@ TC=25°C) max：
14.0A
Ptot max：
86.0W
QG ：
19.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
9.4nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
1.75K/W
VGS max：
30.0V

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