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深圳市勤思达科技有限公司

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IRFR1205TRPBF

IRTO-252

50000

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深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFR1205TRPBF,绝对正品,欢迎咨询洽谈。

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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UMW 友台TO-252

25000

23+

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原装正品,实单请联系

深圳市誉腾达半导体科技有限公司

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IRFR1205TRPBF

INFINEONTO-252-3

3000

22+

公司只有原装

深圳市智连鑫科技有限公司

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IRFR1205TRPBF

INFINEONTO-252-3

8000

23+

只做原装正品,假一罚十

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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IRD-PAK

65400

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

27048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市航润创能电子集团有限公司

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INFINEON/英飞凌NA

20000

21+

只做原装,假一罚十

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-252

6500

23+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-252

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市华博特电子有限公司

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INFINEONTO252

2000

23/22+

全线可订货.含税开票

深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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IRTO-252

5000

21+

原装现货/假一赔十/支持第三方检验

深圳市芯祺盛科技有限公司

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INFINEONTO-252

6919

20+

原装库存有订单来谈优势

深圳市天成基业科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

500

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全新、原装

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-8

210494

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市中联芯电子有限公司

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INFINEONTO-252

20000

24+

只做原装 有挂有货 假一赔十

深圳市宝隆宏业科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

36800

21+

进口原装现货 假一赔十

深圳市赛能新源半导体有限公司

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IR/INFINEONTO-252

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市能创芯电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

20000

23+

进口原装现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

31316

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市纳艾斯科技有限公司

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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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IRFR1205TR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 37A, 27 mOhm, 43.3 nC Qg, D-Pak

IRFR1205TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 44A 3PIN DPAK - Tape and Reel

IRFR1205TRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR1205TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRFR1205TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR1205TRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR1205TRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件