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IRFR120ATM

Avalanche Rugged Technology

文件:258.5 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

IRFR120ATM

MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

IRFR120N

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

文件:152.65 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFR120N

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.39 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR120N

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,infraredor wave soldering techniques.

Features VDS (V) = 100V ID = 9.4A (VGS = 10V) RDS(ON) =210mW (VGS = 10V)

文件:536.66 Kbytes 页数:7 Pages

UMW

友台半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFR120ATM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel A-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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更多IRFR120ATM供应商 更新时间2025-12-13 10:20:00