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IRFR120ATM

Avalanche Rugged Technology

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IRFR120ATM

MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

IRFR120N

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR120N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRFR120N

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques.

Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFR120ATM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel A-FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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更多IRFR120ATM供应商 更新时间2025-7-30 10:19:00