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IRFR1010Z	文件：292.8 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp 文件：292.8 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti 文件：4.28522 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR1010Z	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR1010ZTRPBF-TP	文件：2.03253 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power 文件：2.03253 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：334.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRFR1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：4.35518 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR1010ZPBF	文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：354.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：334.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR1010ZPBF_15	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：334.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFR1010ZTRLPBF/IRFR1010ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
7.5 mΩ/7.5 mΩ
ID @25°C max：
91 A/91 A
QG typ @10V：
63 nC/63 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V/2 V
VGS(th) max：
4 V/4 V
VGS(th)：
3 V/3 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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