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IRFR1010Z	文件：292.8 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR1010Z	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFR1010ZPBF	文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZPBF_15	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZTRL	文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFR1010ZTRLPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZTRPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFR1010ZTRR	文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
1010	文件：73.17 Kbytes Page：1 Pages	DeadBlowNylonHammers Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol.	THORTHOR communications THOR communications
1010PT	文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages	Voltageratingupto3800V	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010PTDO	文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages	PhaseControlThyristors	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
1010VS	文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages	HighFrequency,HighCurrentPowerInductors	COILCRAFTCoilcraft 线艺
A1010	文件：2.00904 Mbytes Page：98 Pages	HighlyPredictablePerformancewith100AutomaticPlacementandRouting	ActelActel Corporation Actel 公司
A1010	文件：172.14 Kbytes Page：24 Pages	5Vand3.3VFamiliesfullycompatiblewithJEDECspecifications	ActelActel Corporation Actel 公司
A1010B	文件：162.6 Kbytes Page：24 Pages	ACT1SeriesFPGAs Description TheACT™1Seriesoffieldprogrammablegatearrays(FPGAs)offersavarietyofpackage,speed,andapplicationcombinations.Devicesareimplementedinsilicongate,1-microntwo-levelmetalCMOS,andtheyemployActel’sPLICE®antifusetechnology.Theuniquearchitectureoffersg	ActelActel Corporation Actel 公司

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详细参数

型号：
IRFR1010Z
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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