IRFR1010Z中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRFR1010Z规格书详情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
产品属性
- 型号：
IRFR1010Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
DPAK |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
3750 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
D-Pak |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
DPAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
1816+ |
TO-252 |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 |
