IRLD024中文资料威世数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IRLD024
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
02+ |
DIP-4 |
368 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
100 |
原装正品现货库存价优 |
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IR |
25+ |
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SILICONIXVISHAY |
22+ |
N/A |
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IR |
23+ |
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IR |
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DIP4 |
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SILICONIXVISHAY |
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NA |
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IR |
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IR |
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DIP4 |
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