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IRLL024N	文件：830.5 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology 文件：830.5 Kbytes 页数：4 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLL024N	文件：114.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：114.5 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NTRPBF-TP	文件：1.83204 Mbytes Page：5 Pages	丝印：LL024N；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rosin = 85m @Vos = 10V. Rosin = 100m2 @Vgs = 45V. High dense cel design for extremely low Rosin. Rugged and relabi. Lead free products acquired. SOT-223 package. 文件：1.83204 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRLL024NPBF	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NPBF	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：144.55 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NPBF_15	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NQ	文件：165.73 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：165.73 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLL024NTRPBF	文件：482.05 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount 文件：482.05 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLL024NTRPBF	文件：150.78 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：150.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLL024NTRPBF	文件：1.50169 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.50169 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRLL024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
65 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
100 mΩ
ID @25°C max：
4.4 A
QG typ @4.5V：
10.4 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRLL024N供应商更新时间2025-12-14 13:00:00

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