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IRFL210TRPBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210TRPBF-TP	文件：992.24 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V. 文件：992.24 Kbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFL210TRPBF	文件：1.81988 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.81988 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFL210TRPBFA	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210TRPBF-BE3AB	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210/SiHFL210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

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更多IRFL210供应商更新时间2025-10-12 14:14:00