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IRFL210TRPBF-TP	文件：992.24 Kbytes Page：3 Pages	Marking：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；N-Channel MOSFET 200V, 6.0A, 0.65Q Features ©Vos=200v +o=60A +Rosin50650@Ves=10V.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFM210	文件：705.26 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFM210A	文件：269.52 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(200V,1.5ohm,0.77A) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFM210B	文件：705.26 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFNL210B	文件：680.04 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR210	文件：171.11 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=2.6A) DESCRIPTION ThirdGenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraigh	IRF International Rectifier	IRF
IRFR210	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR210	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR210	文件：320.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR210	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR210,SiHFR210) •Straightlead(IRFU210,SiHFU210) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳中芯器材有限公司	IRFL210TRPBF-TP	TECH PUBLIC(台舟)	23+	SOT-223	9990	三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IRFL210TRPBF-VB		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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