IRFL210中文资料下载批发采购威世VISHAY-114ic电子网

首页 >IRFL210>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFL210	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL210	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL210	文件：182.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A) VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A 文件：182.25 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFL210	文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages	Surface Mount 文件：1.58503 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFL210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRFL210	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL210_V01	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL210PBF	文件：782.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A Lead-Free 文件：782.91 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL210PBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL210TR	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFL210
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFL210	VISHAY/威世	25+	SOT-223	20300	VISHAY/威世原装特价IRFL210即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市天地昆电子有限公司	IRFL210	IR	16+	SOT-223	73	上传都是百分之百进口原装现货	询价
深圳市科翼源电子有限公司	IRFL210	IR	23+	SOT-223	5660	原厂原装正品	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	IRFL210	IR	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRFL210	IR	2450+	SOT-223	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRFL210	VISHAY/威世	2025+	SOT-223	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFL210	IOR	24+	SOT223	600		询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRFL210	IR	17+	TO-252	6200		询价
芯有半导体（深圳）有限公司	IRFL210	INTERNATIONA	06+	原厂原装	4225	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFL210	IR	24+	原厂封装	5000	原装现货假一罚十	询价

更多IRFL210供应商更新时间2026-1-20 20:45:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号