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IRFL210	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210	文件：182.25 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A) VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A 文件：182.25 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFL210	文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages	Surface Mount 文件：1.58503 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFL210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRFL210	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL210_V01	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third g 文件：171.96 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210PBF	文件：782.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.96A Lead-Free 文件：782.91 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL210PBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFL210TR	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering tec 文件：1.06848 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFL210
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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