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IRFL110	文件：244.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110PBF	文件：216.93 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110PBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TR	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBF	文件：1.46639 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFL110_V01	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBFA	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL110TRPBF-BE3AB	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFL110
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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