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IRFL110TR	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Surface Mount • Available in Tape and Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive 文件：1.45555 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL110TRPBF	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Surface Mount • Available in Tape and Reel • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive 文件：1.45555 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL110TRPBF	文件：1.46639 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.46639 Mbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFL110TRPBFA	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：2.02105 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFL110TRPBF-BE3AB	文件：2.02105 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：2.02105 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFL110TR
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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