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IRFI644A	文件：229.46 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI644B	文件：685.47 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI644G	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644G	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI644G	文件：702.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI644GPBF	文件：1.41435 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) •Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI644GPBF	文件：1.36816 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI644GPBF	文件：702.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS644	文件：270.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS644	文件：318.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFI644A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFI644A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFI644A	IR	22+	TO-220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFI644A	IR	23+	TO-220	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFI644A	IR	23+	TO-220	7000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFI644B	FAIRCHILD/仙童	23+	TO262	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	IRFI644G	IR	23+	TO-220Fu	7600	全新原装现货	询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFI644G	IR	23+	TO-220F	35890		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFI644G	IR	2020+	TO-220F	53	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多IRFI644A供应商更新时间2025-7-24 17:41:00

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