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IRFIB41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：268.02 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFIB41N15D	文件：260.61 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIB41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：342.04 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFIB41N15DPbF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：714.57 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIB41N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso) \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
TO-220-3 FP
VDS max：
150.0V
RDS (on)(@10V) max：
45.0mΩ
RDS (on) max：
45.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
29.0A
ID max：
29.0A
ID (@ TC=25°C) max：
41.0A
Ptot max：
200.0W
QG ：
72.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
3.14K/W
Qgd ：
35.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
30.0V

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