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IRFI644G	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=7.9A) HEXFET Power MOSFET 文件：174.94 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
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IRFI644GPBF	文件：1.36816 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：1.36816 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI644G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFI644GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH250V HEXFET MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFI644GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI644G
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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