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IRFI9540G	文件：285.55 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：285.55 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFI9540G	文件：974.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：974.07 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFI9540G	文件：170.93 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：170.93 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI9540G_V01	文件：285.55 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：285.55 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFI9540GPBF	文件：974.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：974.07 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFI9540GPBF	文件：290.04 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：290.04 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI9540GPBF	文件：2.09784 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：2.09784 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFI9540G	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI9540G
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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