首页 >IRFI9Z34G>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IRFI9Z34G

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see

文件:814.5 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z34G

Power MOSFET

文件:1.44545 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z34G

HEXFET POWER MOSFET

文件:172.55 Kbytes 页数:6 Pages

IRF

IRFI9Z34G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see

文件:814.5 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z34GPBF

HEXFET POWER MOSFET

文件:923.09 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFI9Z34GPBF

Power MOSFET

文件:1.44545 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z34GPBF

Power MOSFET

文件:814.5 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z34G

HEXFET POWER MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFI9Z34GPBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    60V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    140 mΩ @ 7.2A,10V

  • 类型:

    P 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    42W(Tc)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
17+
TO-220FULLPAK(ISO)
31518
原装正品 可含税交易
询价
IR
24+
TO 220F
161026
明嘉莱只做原装正品现货
询价
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原装,现货库存长期供应
询价
IR
24+
TO-220
7400
询价
IR
24+/25+
750
原装正品现货库存价优
询价
IR
05+
原厂原装
19401
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
25+
TO220
18600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
IOR
25+
ZIP3
3629
原装优势!房间现货!欢迎来电!
询价
IR
23+
TO220
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
IR
23+
TO-220F
4300
专做原装正品,假一罚百!
询价
更多IRFI9Z34G供应商 更新时间2026-2-5 14:00:00