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L-820	文件：20.59 Kbytes Page：1 Pages	HighBias/HighLAudioFrequencyInductors HighBias/HighLAudioFrequencyInductors Multi-PurposeApplications: BatteryFeed HoldingCoil SurgeRetardCoil	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LED820	文件：1.12693 Mbytes Page：8 Pages	InfraredLED	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LMV820	文件：663.07 Kbytes Page：32 Pages	Tinypackages Description TheLMV82xandLMV82xAseriesofsingle,dual,andquadoperationalamplifiersofferlowvoltageoperationwithrail-to-railoutputswing.TheyoutperformtheindustrystandardLMV321,especiallywithregardtothegainbandwidthproduct(5.5MHz).TheLMV821,LMV822andLMV824areof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LMV820A	文件：663.07 Kbytes Page：32 Pages	Tinypackages Description TheLMV82xandLMV82xAseriesofsingle,dual,andquadoperationalamplifiersofferlowvoltageoperationwithrail-to-railoutputswing.TheyoutperformtheindustrystandardLMV321,especiallywithregardtothegainbandwidthproduct(5.5MHz).TheLMV821,LMV822andLMV824areof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LMV820AILT	文件：873.15 Kbytes Page：32 Pages	Lowpower,highaccuracy,general-purposeoperationalamplifier Description TheLMV82xandLMV82xAseriesofsingle,dual,andquadoperationalamplifiersofferlowvoltageoperationwithrail-to-railoutputswing.TheyoutperformtheindustrystandardLMV321,especiallywithregardtothegainbandwidthproduct(5.5MHz).TheLMV821,LMV822andLMV824areof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LMV820ILT	文件：873.15 Kbytes Page：32 Pages	Lowpower,highaccuracy,general-purposeoperationalamplifier Description TheLMV82xandLMV82xAseriesofsingle,dual,andquadoperationalamplifiersofferlowvoltageoperationwithrail-to-railoutputswing.TheyoutperformtheindustrystandardLMV321,especiallywithregardtothegainbandwidthproduct(5.5MHz).TheLMV821,LMV822andLMV824areof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LN820RPH	文件：31.9 Kbytes Page：1 Pages	1.75mmX7.0mmSeries	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
LND820	文件：115.57 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION TheLND820seriesprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoappro	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LND-820	文件：115.57 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION TheLND820seriesprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoappro	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LPCSMT820	文件：571.7 Kbytes Page：7 Pages	SMDShieldedPowerInductor Features: •Provideshighpowerandhighsaturation •Providesmagneticshieldingagainstradiation •Electrodedirectlyconnectedtoferritecore •ContactStackpoleforadditionalinductancevalues •Operatingtemperature40~125ºC •100%RoHScompliantandleadfreewithoutexemption	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI

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详细参数

型号：
IRF820L
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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