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IRF840LCL	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge then conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device Power MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive 文件：1.028819 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840LCL	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge then conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device Power MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive 文件：175.22 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840LCL	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Ultra low gate charge • Reduced gate drive requirement • Enhanced 30 V VGS rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Extremely high frequency operation • Repetitive avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * Th 文件：231.4 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840LCL	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description This new series of low charge HEXFET®power MOSFETs achieve significant lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduce gate drive requirem 文件：173.93 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF840LCL	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET 文件：156.42 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge then conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device Power MOSFETs) technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive 文件：1.028819 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840LCLPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：231.4 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF840LCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Ultra low gate charge\nReduced gate drive requirement\nEnhanced 30 V VGS rating;	Vishay 威世	Vishay
IRF840LCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF840LCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	TRANSYS	TRANSYS

详细参数

型号：
IRF840LCL
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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