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IRF820L	文件：183.24 Kbytes Page：8 Pages	Dynamic dV/dt rating DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It prov 文件：183.24 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF820L	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：238.32 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF820LPBF	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：238.32 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF820L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF820L
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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