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IRF820STRLPBFA	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820STRRPBFA	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820A	文件：229.29 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):2.000Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI820B	文件：649.33 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI820G	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820G	文件：279.16 Kbytes Page：6 Pages	HexfetPowermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRFI820G	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820GPBF	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFS820	文件：270.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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