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IRF540NSTRR	文件：284.98 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF540PBF	文件：2.15994 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi	IRF International Rectifier	IRF
IRF540PBF	文件：1.90441 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540PBF	文件：6.94774 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF540S	文件：86.08 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor VDSS=100V ID=23A RDS(ON)≤77mΩ GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:- •d.c.t	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF540S	文件：176.15 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540S	文件：1.04376 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF540S	文件：216.6 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540S	文件：370.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF540NSTRR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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