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IRFR5305PBF	文件：3.86744 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305TR	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR5305TR	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR5305TR	文件：1.84221 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features *Vos=-60V,lo=-16A Ros52mQ@Vos=-10V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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IRFR5305TRLPBF	文件：817.18 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR5305TRPBF	文件：3.86247 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF5305STRLHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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