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IRF530NL	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NL	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NL	文件：300.47 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NLPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NLPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NPBF	文件：188.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NPBF	文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NPBF	文件：972.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530NS	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF530ND
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRF530NHSMRKD	INTERNATIONA	05+	原厂原装	12666	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳市华来深电子有限公司	IRF530NL	IR	23+	TO-262-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价

更多IRF530ND供应商更新时间2025-5-29 15:23:00

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