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IRFR5305	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR5305	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR5305PBF	文件：248.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305PBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR5305PBF	文件：3.86247 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305PBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305PBF	文件：3.86744 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305TR	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR5305TR	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

详细参数

型号：
IRF5305SHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	IRF5305SMOS(场效应管)	IR	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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