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MAX1302BEUG+	文件：625.19 Kbytes Page：31 Pages	8-Channel,±VREFMultirangeInputs,Serial16-BitADC	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MF1302	文件：108.9 Kbytes Page：8 Pages	AxialMoldedChoke TheMFrangeofencapsulatedaxialchokesfromECMhavebeenespecificallydesignedtocopewithhighcurrentattemperaturesupto125°C,withminimumppm/°Closses. Itsphysicalconstruction,whilenotofferingcompleteEMIshielding,generatesextremelylowmagneticinterferenceandhasaty	ECM ECM Electronics Limited.	ECM
MGF1302	文件：211 Kbytes Page：5 Pages	LOWNOISEGaAsFET DESCRIPTION TheMGF1302isalow-noiseGaAsFETwithanN-channelSchottkygate,whichisdesignedforuseinStoXbandamplifiersandoscillators.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. FEATURES	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MJ1302A	文件：221.68 Kbytes Page：6 Pages	COMEPLEMENTARYNPN-PNPSILICONPOWERBOPOLARTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJL1302	文件：203.73 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS200VOLTS200WATTS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS200VOLTS200WATTS MJL1302A-->PNP MJL3281A-->NPN •TheMJL3281AandMJL1302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. •Designedfor100WAudioFrequency •Gai	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJL1302	文件：147.98 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS260VOLTS200WATTS MJL3281A(NPN) MJL1302A(PNP) TheMJL3281AandMJL1302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear Features •ExceptionalSafeOperatingArea •NPN/PNPGai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL1302A	文件：147.98 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS260VOLTS200WATTS MJL3281A(NPN) MJL1302A(PNP) TheMJL3281AandMJL1302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear Features •ExceptionalSafeOperatingArea •NPN/PNPGai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL1302A	文件：203.73 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS200VOLTS200WATTS 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS200VOLTS200WATTS MJL1302A-->PNP MJL3281A-->NPN •TheMJL3281AandMJL1302AarePowerBasepowertransistorsforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. •Designedfor100WAudioFrequency •Gai	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJL1302A	文件：67.98 Kbytes Page：5 Pages	15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS260VOLTS200WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJL1302A	文件：223.58 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF1302S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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