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IRF1404ZS	文件：306.06 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.These features combi 文件：306.06 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZS	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：4.6855 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF1404ZS	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：294.32 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZS	文件：299.76 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1404ZS_L	文件：4.6855 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：4.6855 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF1404ZSPBF	文件：307.88 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：307.88 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZSPBF	文件：329.6 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：329.6 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZSTRLPBF	文件：307.88 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature 文件：307.88 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZSPBF	文件：307.88 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：307.88 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF1404ZSTRL	文件：294.32 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：294.32 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF1404ZSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
3.7 mΩ
ID @25°C max：
180 A
QG typ @10V：
100 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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