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MJL1302A	文件：2.81156 Mbytes Page：5 Pages	200Watt/-15A/-260VSiliconPlanarPNPTypePowerTransistor DESCRIPTION ·WithTO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL)pkg ·ComplementtotypeMJL3281A APPLICATIONS ·HomeAmplifiers/HomeReceivers ·TheaterandStadiumSoundSystems ·PublicAddressSystems(PAs)	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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MJW1302A	文件：74.49 Kbytes Page：6 Pages	15AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS230VOLTS200WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJW1302A	文件：160.51 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJW1302A	文件：91.8 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJW1302A	文件：233.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJW1302A	文件：199.48 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors TheMJW3281AandMJW1302AarePowerBasepowertransistors forhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear applications. Features Designedfor100WAudioFrequency GainComplementary: GainLinearityfrom100mAto7A hFE=45(Min)@IC=8A LowHarmonicDistortion 	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
IRF1302S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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