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IPD65R380E6	文件：1.9041 Mbytes Page：17 Pages	650V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD65R380E6	文件：336.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Veryhighcommutationruggedness •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD65R380E6	文件：1.97976 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD65R380E6_13	文件：1.97976 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BRF65R380C	文件：1.77421 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL650VSuper-JunctionPowerMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
HCD65R380T	文件：295.33 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS65R380T	文件：206.44 Kbytes Page：7 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU65R380T	文件：295.33 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
MMD65R380QRH	文件：2.85431 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF65R380Q	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R380QTH	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380Q	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380QTH	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
SLF65R380SS	文件：986.2 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
TPA65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPA65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPB65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPB65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPC65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC

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详细参数

型号：
IPD65R380E
功能描述：
MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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