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IPD65R380E6中文资料PDF规格书
IPD65R380E6规格书详情
• DESCRITION
• Very high commutation ruggedness
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.38Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD65R380E6
- 功能描述：
MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-252 |
57550 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT-252 |
16894 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
21+ |
N/A |
1998 |
深圳通 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
DPAK(TO-252) |
90002 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO252 |
90000 |
原装现货实单必成 |
询价 | ||
INFINEON |
13+P |
TO-252 |
10 |
库存刚更新加微13425146986 |
询价 |
