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IPD65R380E6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

IPD65R380E6
厂商型号

IPD65R380E6

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

336.47 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:02:00

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IPD65R380E6规格书详情

• DESCRITION

• Very high commutation ruggedness

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤0.38Ω

• Enhancement mode:

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

产品属性

  • 型号:

    IPD65R380E6

  • 功能描述:

    MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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