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IPD90N06S4-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V、N 沟道、最大 6.9 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N沟道 - 增强模式\n• 符合汽车 AEC Q101 标准\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n• 100% Avalanche 测试\n• 超低 RDS(on)\n• 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD90N06S4-07	文件：169.39 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：169.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD90N06S4-07供应商更新时间2025-12-14 13:01:00