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HCU65R380T	文件：295.33 Kbytes Page：8 Pages	Extremely low switching loss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
BRF65R380C	文件：1.77421 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL650VSuper-JunctionPowerMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MMP65R380QTH	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
SLF65R380SS	文件：986.2 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
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更多HCU65R380T供应商更新时间2024-6-20 23:00:00

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