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IPI110N20N3G	文件：452.77 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC for target application • Halogen-free according to IEC6124 文件：452.77 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI110N20N3G	文件：739.46 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor 文件：739.46 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI110N20N3G	文件：696.05 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：696.05 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP110N20N3	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多IPI110N20N3G供应商更新时间2025-11-19 10:22:00