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IPI600N25N3G	文件：426.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id 文件：426.96 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI600N25N3G	文件：694.82 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id 文件：694.82 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI600N25N3G	文件：737.83 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：737.83 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP600N25N3	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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IPP600N25N3G	文件：426.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id 文件：426.96 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IPI600N25N3G
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262
功能描述：
N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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