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IPI80N04S3-03	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (RoHS compliant)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80N04S3-03	文件：194.37 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：194.37 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
3.5mΩ
QG(typical) ：
83.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
0.8K/W
Ptot max：
188.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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深圳市金芯世纪电子有限公司	IPI80N04S3-03	INFINEON/英飞凌	22+	TO-262	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价

更多IPI80N04S3-03供应商更新时间2025-10-5 14:01:00

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