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IPI60R280C6	文件：2.38545 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R280C6	文件：1.43803 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI60R280C6	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.28Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPP60R280C6	文件：2.38545 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easyto	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R280C6	文件：338.57 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.28Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R280C6	文件：335.38 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IPI60R280C6
功能描述：
MOSFET 600V CoolMOSC7 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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