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IPI80N06S4L-05	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·N-channel - Enhancement mode\n ·AEC Q101 qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green Product (RoHS compliant)\n ·100% Avalanche tested;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80N06S4L-05	文件：175.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：175.8 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

ID max：
80.0A
RDS (on)(@10V) max：
4.8mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
8.5mΩ
QG(typical) ：
83.0nC
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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更多IPI80N06S4L-05供应商更新时间2025-10-5 9:11:00

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