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IPD70N04S3-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n• Automotive AEC Q101 qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green Package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n• Robust packages with sup;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD70N04S3-07	文件：188.24 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：188.24 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI70N04S3-07	文件：191.73 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：191.73 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

QG(typical) ：
30.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
70.0A
RthJC max：
1.9K/W
Ptot max：
79.0W
IDpuls max：
280.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V

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深圳市安富世纪电子有限公司	IPD70N04S3-07	INFINEON/英飞凌	20+	TO-252	25000	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	IPD70N04S3-07	INFINEON		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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更多IPD70N04S3-07供应商更新时间2025-10-9 9:36:00

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