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IPI200N25N3G	文件：427.94 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id 文件：427.94 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI200N25N3G	文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI200N25N3G	文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP200N25N3	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP200N25N3	文件：319.37 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=64A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 文件：319.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP200N25N3G	文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IPI200N25N3G供应商更新时间2025-11-19 16:12:00