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IPD90P03P4-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V、P 沟道、最大 4.5mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -P2 • P-channel - Normal Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• No charge pump required for high side drive.\n• Simple interface drive circuit\n• World's lowest RDSo;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD90P03P4-04	文件：170.8 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：170.8 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD90P04P4-05	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市勤思达科技有限公司	Infineon
IPD90P04P4-05	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市安富世纪电子有限公司	TI
IPD90P04P4L-04	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市能创芯电子科技有限公司	Infineon

技术参数

OPN：
IPD90P03P404ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
4.5 mΩ
ID @25°C max：
-90 A
QG typ @10V：
100 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
OptiMOS™-P2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPD90P03P4-04供应商更新时间2025-11-23 13:01:00

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