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IPDH4N03LAG	文件：305.11 Kbytes Page：9 Pages	OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：305.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSH4N03LA	文件：305.11 Kbytes Page：9 Pages	OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：305.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSH4N03LAG	文件：305.11 Kbytes Page：9 Pages	OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：305.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSH4N03LA-G	文件：305.11 Kbytes Page：9 Pages	OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：305.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPDH4N03LAG
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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