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IPI100N06S3L-04

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP100N06S3L-04

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-04

OptiMOS-T Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPL60R065C7

VSON-4

IPL60R065P7

VSON4

英飞凌/实单必成

上传:深圳市拓芯泰电子科技有限公司

英飞凌/实单必成

详细参数

  • 型号:

    IPI100N06S3L-04

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 55V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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24+
PG-TO262-3I2-PAK(T
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TO262-3
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更多IPI100N06S3L-04供应商 更新时间2025-11-18 16:30:00