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IPSH4N03LAG

OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant

文件:305.11 Kbytes 页数:9 Pages

INFINEON

英飞凌

KX4N03W

Dual N-Channel MOSFET

文件:1.70249 Mbytes 页数:6 Pages

KEXIN

科信电子

NTMD4N03

Power MOSFET 4 A, 30 V, N?묬hannel SO?? Dual

文件:126.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMD4N03

Power MOSFET 4 A, 30 V, N?묬hannel SO?? Dual

文件:126.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    IPSH4N03LAG

  • 功能描述:

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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IPAKSL(TO-251SL)
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更多IPSH4N03LAG供应商 更新时间2026-4-12 16:30:00