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NTMD4N03

Power MOSFET 4 A, 30 V, N?묬hannel SO?? Dual

文件:126.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4N03

Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8

Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts, N-Channel SO8 Dual • Designed for use in low voltage, high speed switching applications\n• Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n•- RDS(on) = 0.048 Ω, VGS = 10V (Typ)\n•- RDS(on) = 0.065 Ω, VGS = 4.5V (Typ)\n• Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space\n• Diode is C;

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4N03R2

Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N?묬hannel SO?? Dual

文件:80.85 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4N03R2G

Power MOSFET 4 A, 30 V, N?묬hannel SO?? Dual

文件:126.33 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4N03R2G

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.025109 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    4

  • PD Max (W):

    2

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=60

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8

  • Ciss Typ (pF):

    285

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多NTMD4N03供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00