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NTMD4N03中文资料Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMD4N03

功能描述

Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:31:00

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NTMD4N03规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts, N-Channel SO8 Dual

特性 Features

• Designed for use in low voltage, high speed switching applications
• Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
•- RDS(on) = 0.048 Ω, VGS = 10V (Typ)
•- RDS(on) = 0.065 Ω, VGS = 4.5V (Typ)
• Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery
• Pb-Free Package is Available

应用 Application

• Dc-Dc Converters, Computers, Printers, Cellular Phones, Cordless Phones, Disk Drives, and Tape Drives

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMD4N03

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :4

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=60

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :285

  • Package Type

    :SOIC-8

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