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NTMD2P01R2数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTMD2P01R2

功能描述

小信号 MOSFET,16V,2.3A,100mΩ,双 P 沟道,SO-8

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:34:00

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NTMD2P01R2规格书详情

描述 Description

功率 MOSFET,-2.3 A,-16 V,P 沟道,双 SO-8 封装

特性 Features

• High Efficiency Components in a Single SO-8 Package
• High Density Power MOSFET with Low RDS(on)
• Logic Level Gate Drive
• SO-8 Surface Mount Package, Mounting Information for SO-8 Package Provided
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.:Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular and Cordless Telephones

技术参数

  • 型号:

    NTMD2P01R2

  • 功能描述:

    MOSFET -16V 2.3A Dual

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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